单晶硅片


单晶硅是一种优良的高纯半导体材料,IC级别的纯度要求达到9N以上(99.9999999%),区熔单晶硅片甚至达到11N(99.999999999%)以上。通常通过直拉法(CZ)和区熔法(FZ)长晶得到,其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前最重要的半导体材料,占据半导体材料市场的90%以上,是信息技术和集成电路的基础材料。

单晶硅片简称硅片,是一种圆形的片状材料,其原子经过人工重新排列,是具有晶向的高纯半导体材料。由于硅元素在占地壳质量的26%,所以单晶硅是目前主要的半导体材料。单晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核,如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒,则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。集成电路级别的纯度要求达到9N以上(99.9999999%),区熔单晶硅片甚至达到11N(99.999999999%)以上。通常通过直拉法(CZ)和区熔法(FZ)长晶得到,其晶向通过籽晶来决定。单晶硅是目前最重要的半导体材料,占据半导体材料市场的90%以上,是信息技术和集成电路的基础材料。

Diameter2" 3" 4" 5" 6" 8" 
Growth MethodCZ,FZ
Orientation < 100 > , < 111 > , < 110 >
Type/DopantIntrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron
Thickness (um)279380525625675725
Thickness ToleranceStandard ± 25um±50um
Resistivity(Ohm-cm)>1000Ω.cm,>3000Ω.cm,>5000Ω.cm,>10000Ω.cm,>20000Ω.cm
Surface FinishedP/E , P/P, E/E, G/G
TTV (um)Standard < 10 um
Bow/Warp  (um)Standard <40 um<50um
Particle<10@0.3um


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