硅片的热氧化层是在有氧化剂的高温条件下在硅片的裸片表面形成的氧化层或者二氧化硅层。硅片的热氧化层通常在水平管式炉中生长而成，生长温度范围一般为900℃~1200℃，有“湿法氧化”和“干法氧化”两种生长方式。热氧化层是一种“生长”而成的氧化物层，相较于CVD沉积的氧化层，它具有更高的均匀性和更高的介电强度。热氧化层是作为绝缘体的优异的介电层，在众多硅基器件中，热氧化物层在作为掺杂阻止层和表面电介质方面起着重要作用。
| Oxidation Technique | Wet oxidation or Dry oxidation |
| Diameter | 2″ / 3″ / 4″ / 6″ / 8″ / 12″ |
| Oxide Thickness | 100 Å ~ 15µm |
| Tolerance | +/- 5% |
| Surface | Single Side Oxidation(SSO) / Double Sides Oxidation(DSO) |
| Furnace | Horizontal tube furnace |
| Gas | Hydrogen and Oxygen gas |
| Temperature | 900℃ ~ 1200 ℃ |
| Refractive index | 1.456 |
